发明名称 |
一种晶体三极管的失效分析方法 |
摘要 |
本发明提供一种晶体三极管的失效分析方法,包括以下步骤:对需要进行分析的晶体三极管样品进行外观观察,确认其是否破损之类;对晶体三极管样品进行电性检测,分析可能的实效原因;对晶体三极管样品进行X-Ray透视检查,确认晶体三极管的内部结构;将晶体三极管样品制作成金相切片样品;根据晶体三极管的内部结构,将金相切片样品逐一研磨至金线位置,并在金相显微镜下进行观察分析;综合上述步骤得出的结果,确定晶体三极管的失效原因。本发明与现有技术相比不同的是,本发明的方法提供了观察晶体三极管内部金线的结构与连接情况,从而更深入地找出晶体三极管失效的原因。 |
申请公布号 |
CN105510523A |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201410493808.8 |
申请日期 |
2014.09.25 |
申请人 |
黄武 |
发明人 |
黄武 |
分类号 |
G01N33/00(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I |
主分类号 |
G01N33/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 |
代理人 |
张涛 |
主权项 |
一种晶体三极管的失效分析方法,其特征在于包括以下步骤:步骤1:对需要进行分析的晶体三极管样品进行外观观察,确认其是否破损之类;步骤2:对晶体三极管样品进行电性检测,分析可能的实效原因;步骤3:对晶体三极管样品进行X‑Ray透视检查,确认晶体三极管的内部结构;步骤4:将晶体三极管样品制作成金相切片样品;步骤5:根据晶体三极管的内部结构,将金相切片样品逐一研磨至金线位置,并在金相显微镜下进行观察分析;步骤6:综合上述步骤得出的结果,确定晶体三极管的失效原因。 |
地址 |
530012 广西壮族自治区南宁市青秀区桃园路35号 |