| 发明名称 | 用于定位铸块中的晶片的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于确定由半导体材料制成的铸块中的晶片的原始位置的方法，包括如下步骤：测量(F1)晶片的区域中的间隙氧的浓度([O<sub>i</sub>])；测量(F2)在铸块的之前的凝固期间晶片的所述区域中形成的热施主的浓度([DTi])；根据热施主的浓度([DTi])以及间隙氧的浓度([Oi])，确定(F3)在铸块的凝固期间由晶片经历的热施主形成退火的实际持续时间(t<sub>eff</sub>)；以及根据实际持续时间(t<sub>eff</sub>)确定(F4)铸块中晶片的原始位置。 | ||
| 申请公布号 | CN105518441A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201480048381.9 | 申请日期 | 2014.08.01 |
| 申请人 | 原子能和代替能源委员会 | 发明人 | J.维尔曼;S.杜波依斯 |
| 分类号 | G01N21/95(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G01N33/00(2006.01)I | 主分类号 | G01N21/95(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 史新宏 |
| 主权项 | 一种用于确定由半导体材料制成的铸块中的晶片的原始位置的方法，包括如下步骤：‑测量(F1)晶片的一个区域中的间隙氧浓度([O<sub>i</sub>])；‑测量(F2)在铸块的之前的凝固期间晶片的所述区域中形成的热施主的浓度([TD<sub>i</sub>])；‑根据热施主浓度([TD<sub>i</sub>])以及间隙氧浓度([O<sub>i</sub>])，确定(F3)当铸块的凝固发生时由晶片所经历的热施主形成退火的有效时间(t<sub>eff</sub>)；以及‑根据有效时间(t<sub>eff</sub>)，确定(F4)铸块中晶片的原始位置。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||