发明名称 SUBSTRATE TREATMENT METHOD AND SUBSTRATE TREATMENT DEVICE
摘要 이 기판 처리 방법은, 기판을, 소정의 연직 축선 둘레로 제 1 회전 속도로 회전시키는 기판 회전 단계와, 상기 기판 회전 단계와 병행하여 실행되고, 회전 중의 상기 기판의 하면에 소정의 제 1 간격을 두고 제 1 대향면을 대향시키면서, 상기 기판의 하면에 대향하는 하면 노즐의 처리액 토출구로부터 처리액을 토출시켜, 상기 기판의 하면과 상기 제 1 대향면의 사이의 공간을 처리액으로 액밀 상태로 하는 액밀 단계와, 상기 액밀 단계 후, 상기 기판의 하면과 상기 제 1 대향면을 이반시킴으로써, 상기 기판의 하면과 상기 제 1 대향면의 사이의 공간의 액밀 상태를 해제하는 액밀 해제 단계를 포함한다.
申请公布号 KR20160043000(A) 申请公布日期 2016.04.20
申请号 KR20167006330 申请日期 2014.08.20
申请人 SCREEN HOLDINGS CO., LTD. 发明人 FUJII TATSUYA
分类号 H01L21/02;H01L21/67;H01L21/687 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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