| 发明名称 | 一种具有特殊耐压环的高压功率器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种具有特殊耐压环的高压功率器件，其包括工作区(1)和终端区(2)；所述工作区(1)和终端区(2)的衬底(3)上表面设有外延层(4)；所述终端区(2)自所述外延层(4)的上表面向下开设有耐压环沟槽(21)；所述耐压环沟槽(21)的深度小于所述外延层(4)的厚度，其内部填充有轻掺杂的P型GaN材料且填充后的所述P型GaN材料的上表面与所述外延层(4)的上表面平齐；同时，所述耐压环沟槽(21)内填充的所述P型GaN材料上表面还覆盖有一层边缘钝化层(5)。本实用新型结构设计简单、合理，使用稳定、可靠，在有效提高器件的击穿电压的同时，能有效减小终端区的面积，降低了成本。 | ||
| 申请公布号 | CN205177848U | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201520890629.8 | 申请日期 | 2015.11.10 |
| 申请人 | 张家港意发功率半导体有限公司 | 发明人 | 周炳;石英学;郝建勇;张志娟 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/739(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人 | 黄杭飞 |
| 主权项 | 一种具有特殊耐压环的高压功率器件，包括工作区(1)和终端区(2)；所述工作区(1)和终端区(2)的衬底(3)上表面设有外延层(4)；其特征在于：所述终端区(2)自所述外延层(4)的上表面向下开设有耐压环沟槽(21)；所述耐压环沟槽(21)的深度小于所述外延层(4)的厚度，其内部填充有轻掺杂的P型GaN材料且填充后的所述P型GaN材料的上表面与所述外延层(4)的上表面平齐；同时，所述耐压环沟槽(21)内填充的所述P型GaN材料上表面还覆盖有一层边缘钝化层(5)。 | ||
| 地址 | 215617 江苏省苏州市经济开发区国泰北路1号 | ||