| 发明名称 | 形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法 | ||
| 摘要 | 本申请涉及形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法。本发明揭示一种形成具有锗和碲的相变材料的方法，其包括将含锗材料沉积于衬底上。所述材料包括呈元素形式的锗。使包含碲的气态前体流动到所述包含锗的材料上且从所述气态前体移出碲以与所述包含锗的材料中所述呈元素形式的锗反应，从而在所述衬底上形成相变材料的包含锗和碲的化合物。本发明还揭示其它实施方案。 | ||
| 申请公布号 | CN103882404B | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201410083360.2 | 申请日期 | 2010.03.22 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 尤金·P·马什;蒂莫西·A·奎克;斯特凡·乌伦布罗克 |
| 分类号 | C23C16/28(2006.01)I;C23C16/30(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 孙宝成 |
| 主权项 | 一种在衬底上沉积包含碲的相变材料的方法，其包含：在衬底上从气态Te(OR)<sub>4</sub>形成包含Te(OR)<sub>t</sub>的单层，其中R是烷基且t小于4；和对所述单层提供还原剂以从Te移除(OR)<sub>t</sub>配位体并借此在所述衬底上形成包含碲的相变材料，所述相变材料具有不大于10原子％的氧且包含除碲外的至少一种其他金属。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||