发明名称 |
TFT背板结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明提供一种TFT背板结构及其制作方法。该TFT背板结构通过设置栅极绝缘层(4)对应于TFT(T)所在的区域为三层结构,自下至上依次为介电层(41)、氮化硅层(42)、与二氧化硅层(43),能够增强TFT的可靠性;设置栅极绝缘层(4)对应于存储电容(C)所在的区域为双层结构,自下至上依次为介电层(41)、与至少部分氮化硅层(42),或者所述栅极绝缘层(4)对应于存储电容(C)所在的区域为单层结构,仅包括介电层(41),能够增大介电常数,减小存储电容(C)两电极板之间的距离,从而能够在保证存储电容性能的前提下,减少电容面积,提高开口率。 |
申请公布号 |
CN105514116A |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201510882240.3 |
申请日期 |
2015.12.03 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
周星宇 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市德力知识产权代理事务所 44265 |
代理人 |
林才桂 |
主权项 |
一种TFT背板结构,其特征在于,包括基板(1)、覆盖所述基板(1)的缓冲层(2)、设于所述缓冲层(2)上相互间隔开的多晶硅有源层(31)与多晶硅电极板(32)、覆盖所述多晶硅有源层(31)、多晶硅电极板(32)、与缓冲层(2)的栅极绝缘层(4)、于所述多晶硅有源层(31)上方设于栅极绝缘层(4)上的栅极(51)、于所述多晶硅电极板(32)上方设于栅极绝缘层(4)上的金属电极板(52)、覆盖所述栅极(51)、金属电极板(52)、与栅极绝缘层(4)的层间绝缘层(6)、及设于所述层间绝缘层(6)上的源极(71)与漏极(72);所述多晶硅有源层(31)、栅极(51)、源极(71)、与漏极(72)构成TFT(T),所述多晶硅电极板(32)与金属电极板(52)构成存储电容(C);所述栅极绝缘层(4)对应于TFT(T)所在的区域为三层结构,自下至上依次为介电层(41)、氮化硅层(42)、与二氧化硅层(43);所述栅极绝缘层(4)对应于存储电容(C)所在的区域为双层结构,自下至上依次为介电层(41)、与至少部分氮化硅层(42);或者所述栅极绝缘层(4)对应于存储电容(C)所在的区域为单层结构,仅包括介电层(41)。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |