发明名称 | 基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑 | ||
摘要 | 本发明提供基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑。全桥MMC自均压拓扑,由全桥MMC模型和自均压辅助回路联合构建。全桥MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6<i>N</i>个IGBT模块发生电气联系,IGBT模块触发,两者构成基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑;IGBT模块闭锁,拓扑等效为全桥MMC拓扑。该全桥MMC自均压拓扑,可以箝位直流侧故障,同时不依赖于专门的均压控制,能够在完成交直流能量转换的基础上,自发地实现子模块电容电压的均衡,同时能相应降低子模块触发频率和电容容值,实现全桥MMC的基频调制。 | ||
申请公布号 | CN105515427A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
申请号 | CN201610047412.X | 申请日期 | 2016.01.25 |
申请人 | 华北电力大学 | 发明人 | 赵成勇;刘航;许建中 |
分类号 | H02M7/487(2007.01)I | 主分类号 | H02M7/487(2007.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 基于不等式约束的无辅助电容式全桥MMC自均压拓扑,其特征在于:包括由A、B、C三相构成的全桥MMC模型,A、B、C三相分别由2N个全桥子模块,2个桥臂电抗器串联而成;包括由6N个IGBT模块,6N+1个钳位二极管构成的自均压辅助回路。 | ||
地址 | 102206 北京市昌平区回龙观镇北农路2号 |