| 发明名称 | 一种量子点发光二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种量子点发光二极管及其制备方法，其自下而上依次包括：衬底、阳极层、空穴注入功能层、量子点发光层、电子传输层及阴极层，其中，所述空穴注入功能层由空穴注入层或空穴传输层中引入全氟离子聚合物形成。本发明通过在空穴注入层或者空穴传输层中引入全氟离子聚合物，形成功函数渐变的空穴注入层或者空穴传输层，可减小界面处的空穴注入势垒，提高空穴注入；另外，还可以简化器件结构，避免使用多层结构提高空穴注入，节约制备成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105514290A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201510995528.1 | 申请日期 | 2015.12.28 |
| 申请人 | TCL集团股份有限公司 | 发明人 | 陈亚文;谢相伟;肖标 |
| 分类号 | H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 | 代理人 | 王永文;刘文求 |
| 主权项 | 一种量子点发光二极管，其特征在于，自下而上依次包括：衬底、阳极层、空穴注入功能层、量子点发光层、电子传输层及阴极层，其中，所述空穴注入功能层由空穴注入层或空穴传输层中引入全氟离子聚合物形成。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 | ||