| 摘要 |
Un aspect de l'invention concerne un capteur de champ magnétique comportant :
- un premier capteur pour la détection d'une première composante magnétique suivant une première direction X, et
- un deuxième capteur pour la détection d'une deuxième composante magnétique suivant une deuxième direction Y distincte de la première direction X ;
chaque capteur comprenant :
- un concentrateur de flux comportant une première pièce magnétique, une deuxième pièce magnétique et un entrefer entre les première et deuxième pièces magnétiques, et
- un élément magnétorésistif agencé dans l'entrefer du concentrateur de flux ;
chaque élément magnétorésistif comportant :
- une couche de référence ayant une direction d'aimantation fixe, la direction d'aimantation fixe du premier capteur étant sensiblement identique à la direction d'aimantation fixe du deuxième capteur, et
- une couche sensible ayant une direction d'aimantation variable, la direction d'aimantation variable du premier capteur lorsque le premier capteur est dans un état « de repos » étant sensiblement identique à la direction d'aimantation variable du deuxième capteur lorsque le deuxième capteur est dans état « de repos » ;
l'entrefer du premier capteur et l'entrefer du deuxième capteur étant orientés parallèlement à une direction XY qui est, à ±15°, et avantageusement à ±5°, la bissectrice de la première direction X et de la deuxième direction Y. |
