发明名称 |
用特殊离子源装置和以分子离子注入处理有图案化磁畴的HDD(高密度磁盘) |
摘要 |
本发明提供一种制造磁存储介质的方法和装置。将结构基板涂覆磁敏感材料,并且在磁敏感材料上方形成图案化抗蚀层。将原子团导向基板,穿透抗蚀剂并且注入磁敏感层。在某些区域中抗蚀剂的厚的部分防止注入,以在基板上形成磁性的图案。原子团的能量和成分、抗蚀剂的厚度和硬度以及磁敏感材料的晶格能都可被调节,以产生所需的原子团的分裂和注入,包括在某些实施方式中只冲击表面而没有注入。在图案化的磁敏感层上方形成保护层和润滑层。 |
申请公布号 |
CN102362311B |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201080013678.3 |
申请日期 |
2010.04.08 |
申请人 |
应用材料公司 |
发明人 |
斯蒂芬·莫法特;马耶德·A·福阿德 |
分类号 |
G11B5/84(2006.01)I;G11B5/73(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/84(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
徐金国;钟强 |
主权项 |
一种形成磁基板的方法,所述方法包括:在磁基板的磁敏感层上方形成含碳图案化层;以及通过将所述磁基板的所述磁敏感层的一部分暴露给原子团来改变所述部分的磁性,所述原子团包括碳、硅或锗,其中所述原子团具有能量,所述能量选择来改变所述磁性而基本上不改变基板表面的形状。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |