| 发明名称 | 半导体器件的金属化 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括金属化堆叠的半导体器件。金属化堆叠可包括第一金属化层与第二金属化层。第一金属化层可以通过两个或多个堆叠的金属间通孔而电连接到第二金属化层。 | ||
| 申请公布号 | CN105514084A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201510645378.1 | 申请日期 | 2015.10.08 |
| 申请人 | 恩智浦有限公司 | 发明人 | 保罗·赫伊斯坎普;霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于包括金属化堆叠，所述金属化堆叠包括第一金属化层和第二金属化层；其中第一金属化层通过多个堆叠的金属间通孔而电连接到第二金属化层。 | ||
| 地址 | 荷兰埃因霍温高科技园区60邮编：5656AG | ||