| 发明名称 | 发光二极管芯片 | ||
| 摘要 | 详细说明了一种发光二极管芯片，包括-n型导电区(1)，-p型导电区(2)，-作用区(3)，其在所述n型导电区(1)和p型导电区(2)之间，镜层(4)，其在所述p型导电区(2)的远离所述作用区(3)的一侧处，-封装层(5)，其在所述镜层(4)的远离所述p型导电区(2)的一侧处，-接触层(6)，其在所述封装层(5)的远离所述镜层(4)的一侧处，其中-所述封装层(5)沿着所述镜层(4)的远离所述p型导电区(2)的底部区域(43)和所述镜层(4)的相对于所述底部区域(43)横向地伸展的侧面区域(42)进行延伸，以及-所述接触层(6)从其面对所述n型导电区(1)的侧面在适当位置可自由地到达。 | ||
| 申请公布号 | CN103098242B | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201180038147.4 | 申请日期 | 2011.07.25 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | L·赫佩尔;K·恩格尔 |
| 分类号 | H01L33/44(2006.01)I;H01L33/38(2006.01)I;H01L33/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蒋骏;刘春元 |
| 主权项 | 一种发光二极管芯片，包括‑ n型导电区（1）；‑ p型导电区（2）；‑ 有源区（3），其在所述n型导电区（1）和p型导电区（2）之间；‑ 镜层（4），其在所述p型导电区（2）的远离所述有源区（3）的一侧处；‑ 封装层（5），其在所述镜层（4）的远离所述p型导电区（2）的一侧处；以及‑ 接触层（6），其在所述封装层（5）的远离所述镜层（4）的一侧处，其中‑ 所述封装层（5）沿着所述镜层（4）的远离所述p型导电区（2）的底部区域（43）和所述镜层（4）的相对于所述底部区域（43）横向伸展的侧面区域（42）进行延伸，‑ 其中开口（13）贯穿所述n型导电区（1）、所述p型导电区（2）、所述有源区（3）、所述镜层（4）和所述封装层（5）直至所述接触层（6），以及‑ 所述接触层（6）从其面对所述n型导电区（1）的侧面在所述开口（13）的区域中可被自由地到达。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||