发明名称 |
功率半导体的可靠区域接合件 |
摘要 |
本发明涉及功率半导体的可靠区域接合件。功率半导体模块包括:电绝缘衬底;铜金属化,所述铜金属化被布置在衬底的第一侧上并被构图到管芯附着区和多个接触区中;以及半导体管芯,所述半导体管芯附着至所述管芯附着区。管芯包括:有源器件区;以及一个或多个铜管芯金属化层,所述一个或多个铜管芯金属化层被布置在有源器件区之上。有源器件区被布置为比所述一个或多个铜管芯金属化层更接近于铜金属化。与有源器件区间隔最远的铜管芯金属化层具有在管芯的面向远离衬底的一侧的大部分之上延伸的接触区域。模块进一步包括铜互连金属化,所述铜互连金属化经由无铝区域接合件连接至管芯的接触区域,并且连接至铜金属化的接触区中的第一接触区。 |
申请公布号 |
CN103426861B |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201310178772.X |
申请日期 |
2013.05.15 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
R.巴耶雷尔 |
分类号 |
H01L23/528(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L23/535(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/528(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
胡莉莉;李浩 |
主权项 |
一种功率半导体模块,包括:电绝缘衬底;铜金属化,所述铜金属化被布置在衬底的第一侧上并被构图到管芯附着区和多个接触区中;半导体管芯,所述半导体管芯附着至铜金属化的管芯附着区,并包括有源器件区以及在有源器件区之上布置的一个或多个铜管芯金属化层,有源器件区被布置为比一个或多个铜管芯金属化层更接近于铜金属化,与有源器件区间隔最远的铜管芯金属化层具有在管芯的面向远离衬底的一侧的大部分之上延伸的接触区域;以及铜互连金属化,所述铜互连金属化经由无铝区域接合件连接至管芯的接触区域,并且连接至铜金属化的接触区中的第一接触区。 |
地址 |
德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号 |