鳍型场效应晶体管中栅边缘粗糙度效应的电路仿真方法

摘要

本发明公开了一种鳍型场效应晶体管中栅边缘粗糙度的电路仿真方法，属于微电子器件领域。该电路仿真方法基于可预测性集约模型，首先从鳍线条的电镜照片中提取出粗糙的栅边缘，计算它的自相关函数，然后利用计算公式得到鳍边缘粗糙度影响下的沟长涨落的均值和方差，嵌入到电路仿真软件的仿真网表中进行电路仿真，即可得到鳍边缘粗糙度所造成的电路性能参数。采用本发明可以很准确地得到的器件特性涨落影响，且所有参数都可以用TCAD蒙特卡洛仿真得到的结果进行基准调整。与传统方法相比，可以预测器件的亚阈斜率SS的涨落,以及亚阈斜率SS涨落和阈值电压V_th的相关性。

主权项

一种鳍型场效应晶体管中栅边缘粗糙度效应的电路仿真方法，包括如下步骤：1)从鳍线条的电镜照片中提取出粗糙的栅边缘，计算它的自相关函数；2)利用公式μ(L_g，eff)＝L_g${\sigma }^2\left(L_{g,eff}\right)=\frac{1}{2}·[{\Delta }_{GER}^2-R_{GER}\left(W_{Fin}\right)]$${\sigma }^2\left(L_{g,eff}\right)\approx \frac{2·H_{Fin}^2}{{(2·H_{Fin}+W_{Fin})}^2}·[{\Delta }_{GER}^2+R_{GER}\left(W_{Fin}\right)]$得到鳍边缘粗糙度影响下L_g，eff涨落的均值和方差；3)将上述L_g，eff涨落的均值和方差嵌入到电路仿真软件的仿真网表中，用电路仿真软件进行电路仿真，即可得到栅边缘粗糙度效应的电路性能。