| 发明名称 | 一种宽波段探测的光电探测器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种宽波段探测的光电探测器及其制备方法，光电探测器结构为半圆柱形，主要包括GaAlAs/GaAs光电阴极1、收集电子的阳极2、玻璃窗3、外壳4、封装底座5、电极6和引脚7、8；GaAlAs/GaAs光电阴极1结构自下而上是由n型GaAs衬底、Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>增透膜、Ga<sub>x1</sub>Al<sub>1-x1</sub>As缓冲层1、Ga<sub>x2</sub>Al<sub>1-x2</sub>As缓冲层2、p型GaAs发射层、Cs/O激活层组成；缓冲层分为Ga<sub>x1</sub>Al<sub>1-x1</sub>As缓冲层1和Ga<sub>x2</sub>Al<sub>1-x2</sub>As缓冲层2，分别采用梯度掺杂和指数掺杂方式，两个缓冲层都是的变Al组分的GaAlAs；该光电探测器的优点在于：实现了宽波段、高精度、高灵敏度、快速响应的光电探测。 | ||
| 申请公布号 | CN105514186A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201511006402.3 | 申请日期 | 2015.12.29 |
| 申请人 | 中国计量学院 | 发明人 | 陈亮;苏玲爱;徐珍宝;何敏游;魏来;汪旭辉;尹琳;杨凯;邹细勇;石岩;孟彦龙;张淑琴;金尚忠 |
| 分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人 | 吴秉中 |
| 主权项 | 一种宽波段探测的光电探测器，包括GaAlAs/GaAs光电阴极（1）、收集电子的阳极（2）、玻璃窗（3）、外壳（4）、封装底座（5）、电极（6）和引脚（7、8），其特征在于：所述外壳（4）顶部有开口，所述封装底座（5）和外壳（4）封装抽真空形成密封腔体，所述GaAlAs/GaAs光电阴极（1）和收集电子的阳极（2）结构采用半圆柱面阴极型，所述收集电子的阳极（2）上方设有透明SiO<sub>2</sub>玻璃制成的玻璃窗（3），所述玻璃窗（3）在所述外壳（4）开口处与外壳（4）封接，所述电极（6）连接收集电子的阳极（2），所述引脚（7、8）连接GaAlAs/GaAs光电阴极（1），所述电极（6）和引脚（7、8）伸出于封装底座之外。 | ||
| 地址 | 315470 浙江省宁波市余姚市泗门镇光明路126号 | ||