| 发明名称 | 基板处理方法以及基板处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明的基板处理方法包括：基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面隔开规定的第一间隔与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。 | ||
| 申请公布号 | CN105518831A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201480046427.3 | 申请日期 | 2014.08.20 |
| 申请人 | 株式会社思可林集团 | 发明人 | 藤井达也 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 董雅会;金相允 |
| 主权项 | 一种基板处理方法，包括：基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面隔开规定的第一间隔地与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；以及液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。 | ||
| 地址 | 日本国京都府京都市 | ||