| 摘要 |
본 발명은 에칭 내성을 향상시킬 수 있는 레지스트막 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다. 레지스트막 처리 장치(60)는 현상에 의해 패턴화된 레지스트막에 자외 영역 광을 조사하는 광원(UV)과, 상기 광원(UV)에 의해 자외 영역 광이 조사된 상기 레지스트막을 가열하도록 구성된 가열부(62H)와, 상기 가열부(62H)에 의해 가열되었거나 또는 가열되고 있는 상기 레지스트막을, 벤젠환을 함유하는 용제를 포함하는 용제 기체에 노출시키도록 구성된 용제 처리부(83)를 구비한다. |
