| 发明名称 | 绝缘体上硅类型的衬底和集成电路 | ||
| 摘要 | 提供了一种绝缘体上硅类型的衬底和集成电路。该绝缘体上硅类型的衬底，包括半导体膜，该半导体膜在不同衬底区域中具有不同厚度并且存在于本身位于相同载体衬底顶部的相同掩埋绝缘层上。 | ||
| 申请公布号 | CN205177842U | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201520964778.4 | 申请日期 | 2015.11.26 |
| 申请人 | 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体有限公司 | 发明人 | D·佩蒂特;F·蒙塞尤尔;X·费德斯佩尔;G·比达尔 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华;张凡 |
| 主权项 | 一种绝缘体上硅类型的衬底，其特征在于，包括：半导体膜，在不同衬底区域中具有不同厚度并且存在于本身位于相同载体衬底顶部的相同掩埋绝缘层上。 | ||
| 地址 | 法国克洛尔 | ||