发明名称 一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法
摘要 本发明公开了一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法,包括以下步骤:在衬底上形成多结太阳能电池外延结构;形成太阳能电池制作区域与旁路二极管制作区域之间的隔离槽;对旁路二极管制作区域的外延层进行特定能量的离子注入,使其多结子电池中的至少一个子电池pn结的掺杂情况被改变;对上述旁路二极管制作区域的外延层进行特定波长的强光照射,使其多结子电池中的至少一个子电池pn结受到高温退火处理;制备太阳能电池与旁路二极管的正面、背面电极与减反射膜;按照互联规则封装太阳能电池与旁路二极管。
申请公布号 CN105514207A 申请公布日期 2016.04.20
申请号 CN201510894699.5 申请日期 2015.12.08
申请人 天津三安光电有限公司 发明人 刘冠洲;毕京锋;熊伟平;李明阳;杨美佳;宋明辉;李森林;陈文浚
分类号 H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/074(2012.01)I;H01L27/142(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0725(2012.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种多结太阳能电池的集成旁路二极管的制备方法,其步骤包括:1)在衬底上形成多结太阳能电池外延层结构;2)形成太阳能电池制作区域与旁路二极管制作区域之间的隔离槽;3)对旁路二极管制作区域的外延层进行离子注入,控制离子注入的深度,使其多结子电池中的至少一个子电池pn结的掺杂情况被改变;4)对上述旁路二极管制作区域的外延层进行特定波长的强光照射,使其多结子电池中的至少一个子电池pn结受到高温退火处理;5)制备太阳能电池与旁路二极管的正面、背面电极与减反射膜;6)按照互联规则封装太阳能电池与旁路二极管。
地址 300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号