| 发明名称 | 集成电路与其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种集成电路与其形成方法，该集成电路包含一基底、一第一晶体管、一第二晶体管以及一第三晶体管。第一晶体管具有一第一金属栅极，其具有一第一底阻障层、一第一功函数金属层以及一第一金属层。第二晶体管具有一第二金属栅极，其具有一第二底阻障层、一第二功函数金属层以及一第二金属层。第三晶体管具有一第三金属栅极，其具有第三底阻障层、一第三功函数金属层以及一第三金属层。第一晶体管、第二晶体管与第三晶体管具有相同导电型，第一底阻障层中氮原子浓度>第二底阻障层中氮原子浓度>第三底阻障层中氮原子浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN105514105A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201410500432.9 | 申请日期 | 2014.09.26 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杨智伟;刘玉峰;柯建村;许家福;杨玉如;刘恩铨 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种集成电路，其具有不同驱动电压的多个晶体管，包含：基底；第一晶体管，设置于该基底上且具有第一金属栅极，该第一金属栅极具有第一底阻障层、第一功函数金属层以及第一金属层；第二晶体管，设置于该基底上且具有第二金属栅极，该第二金属栅极具有第二底阻障层、第二功函数金属层以及第二金属层；以及第三晶体管，设置于该基底上且具有第三金属栅极，该第三金属栅极具有第三底阻障层、第三功函数金属层以及第三金属层，该第一晶体管、该第二晶体管与该第三晶体管具有相同导电型，其中该第一底阻障层中氮原子浓度>该第二底阻障层中氮原子浓度>该第三底阻障层中氮原子浓度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区 | ||