一种沟槽式MOS肖特基二极管

摘要

本发明公开了一种沟槽式MOS肖特基二极管，包括肖特基接触金属、二氧化硅环、外延膜、欧姆接触金属、衬底基片和焊压块，肖特基接触金属中间设置有沟槽，二氧化硅环套在肖特基接触金属的下部凸起上，肖特基接触金属的下部凸起设置在外延膜上，外延膜设置在衬底基片上，焊压块设置在衬底基片的另一面，欧姆接触金属设置在焊压块的背面，该发明的沟槽式MOS肖特基二极管，沟槽式肖特基的设计把电场强度从表面移到沟槽深度，可以避免硅表面杂质再高温高热下产生游离状态，影响肖特基的耐压和漏电，同时硅的内散热比较均匀，更有利于温度的扩散作用。

主权项

一种沟槽式MOS肖特基二极管，其特征在于：包括肖特基接触金属、二氧化硅环、外延膜、欧姆接触金属、衬底基片和焊压块，肖特基接触金属中间设置有沟槽，二氧化硅环套在肖特基接触金属的下部凸起上，肖特基接触金属的下部凸起设置在外延膜上，外延膜设置在衬底基片上，焊压块设置在衬底基片的另一面，欧姆接触金属设置在焊压块的背面。