| 发明名称 | 刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种刻蚀方法，包括以下步骤：S1、在待刻蚀的衬底上形成图形化的掩膜层；S2、向工艺腔室内通入包括氯基气体和氟基气体的第一刻蚀气体，利用所述氯基气体和所述氟基气体形成的等离子体对形成有所述掩膜层的衬底进行主刻蚀。本发明能够提高刻蚀速度和刻蚀选择比，且具有较大的调节窗口。 | ||
| 申请公布号 | CN105513942A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201410486071.7 | 申请日期 | 2014.09.22 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 匡锡文 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 彭瑞欣;张天舒 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在待刻蚀的衬底上形成图形化的掩膜层；S2、向工艺腔室内通入包括氯基气体和氟基气体的第一刻蚀气体，利用所述第一刻蚀气体形成的等离子体对形成有所述掩膜层的衬底进行主刻蚀。 | ||
| 地址 | 100176 北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 | ||