| 发明名称 | 形成碳基底连接层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成碳基底连接层的方法，包括：提供碳基底；在所述碳基底上形成电介质层；在所述电介质层上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀部分所述电介质层形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽的底部为剩余的所述电介质层，剩余的所述电介质层覆盖所述碳基底；以及进行掩膜层灰化和湿法清洗。所述形成碳基底连接层的方法还包括：刻蚀所述第一沟槽底部剩余的所述电介质层和部分所述碳基底以形成第二沟槽，其中，所述第二沟槽贯穿所述电介质层并且嵌入所述碳基底；以及使用有机溶剂进行湿法清洗。使用这一方法可以有效地去除掉刻蚀后残留的所述掩膜层。 | ||
| 申请公布号 | CN105513949A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201511025296.3 | 申请日期 | 2015.12.30 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 肖培 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡杰赟;吴敏 |
| 主权项 | 一种形成碳基底连接层的方法，其特征在于，包括：提供碳基底；在所述碳基底上形成电介质层；在所述电介质层上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀部分所述电介质层形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽的底部为剩余的所述电介质层，剩余的所述电介质层覆盖所述碳基底；以及进行掩膜层灰化和湿法清洗。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||