半导体装置及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括N沟道半导体器件，所述N沟道半导体器件包括：衬底；在所述衬底上的栅极结构，所述栅极结构包括在所述衬底上的电介质层以及在所述电介质层上的栅极，其中，在所述栅极的与源区、漏区相邻的两侧中的至少一侧的下端部形成有凹部，其中，所述N沟道半导体器件的沟道区具有增强的应变。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供衬底；通过如下步骤在所述衬底上形成用于N沟道半导体器件的栅极结构：在衬底上形成初始结构，包括：形成在衬底上的电介质层和在所述电介质层上的栅极，以及形成覆盖栅极的侧表面并覆盖所述电介质层的侧面的栅极间隔件；对所述栅极间隔件进行蚀刻，以使得所述栅极间隔件部分地在其下端处被去除，从而使部分的栅极露出；以及对栅极的露出部分进行蚀刻，从而形成在所述栅极的与源区和漏区相邻的两侧中的至少一侧的下端部的相对于所述电介质层的凹部；以及在其上形成该栅极结构的衬底上沉积应力材料。