一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法

摘要

本发明提供一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法，包括以下步骤：1）选取测试中Vf₁值高的异常芯片，首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液20～60sec以除去其钝化层二氧化硅；2）将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片，再进行黄光P-SiO₂光刻，黄光光刻完成后，浸泡ITO蚀刻液100～150sec，将其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新进行ITO蒸镀；3）蒸镀完成后，进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻100～200sec，露出N电极及走道；4）去光阻后，再进行ITO熔合,最后完成点测。本发明高效验证Vf₁偏高与所蒸镀ITO膜层质量之间的联系，从而可以很直观的判定出ITO膜质量对电性Vf₁的影响，对产线ITO蒸镀工序做出预警，有利于提升产品品质。

主权项

一种验证LED白光芯片电压高与ITO膜之间关系的方法，其特征在于：包括以下步骤：1)选取测试中电压值高的异常芯片，首先将芯片浸泡氟化铵腐蚀液20～60sec以除去其钝化层二氧化硅；2)将上述已经去掉钝化层二氧化硅的芯片，再进行黄光P‑SiO₂光刻，以保护P电极以及P电极下面的ITO膜层，黄光光刻完成后，浸泡ITO蚀刻液100～150sec，将其他地方的ITO膜去掉，去光阻后，重新进行ITO蒸镀；3)蒸镀完成后，进行黄光ITO光刻、再浸泡ITO蚀刻液蚀刻100～200sec，露出N电极及走道；4)去光阻后，再进行ITO熔合,最后完成点测。