| 发明名称 | 一种用于微机电系统的磁场调控的智能器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种用于微机电系统的磁场调控的智能器件及其制备方法，属于微机电系统技术领域。该智能器件含有一对间距为微米量级的相互平行的第一平板及第二平板；第一平板为表面镀有金属膜的介质板，第二平板由基板和复合物小球构成。将该器件置于外加磁场中，利用第二平板的磁导率的磁场可调控原理实现两板间Casimir力在吸引-零-排斥之间的转换，从而为防止通常情况下由于Casimir引力造成的MEMS器件间的粘附失效提供了一种有效方法，同时实现了MEMS的磁场调控。本发明对于减小MEMS器件的摩擦磨损，延长MEMS的寿命，以及实现对MEMS的有效控制等具有重要意义，可在MEMS设计制造、智能控制、电磁领域得到广泛应用。 | ||
| 申请公布号 | CN103552976B | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201310524559.X | 申请日期 | 2013.10.30 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 赵乾;马浚铭;孟永钢 |
| 分类号 | B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人 | 邸更岩 |
| 主权项 | 一种用于微机电系统的磁场调控的智能器件，其特征在于：该智能器件含有间距为微米量级的两个相互平行的第一平板(1)和第二平板(2)；所述的第一平板(1)为表面镀有金属膜的介质板，所述的第二平板(2)由基板(6)和复合物小球(5)组成，基板(6)上均匀分布有小孔(7)，复合物小球(5)置于基板(6)的小孔(7)中，复合物小球(5)是由纳米超顺磁颗粒(3)均匀分散至电介质媒质(4)中形成的。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室 | ||