减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法

摘要

一种减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法，包括：第一步骤，在衬底中进行阱注入形成P型阱以及N型阱；第二步骤，在衬底表面制作栅极氧化层；第三步骤，在栅极氧化层表面进行栅极层的淀积；第四步骤，对栅极层进行光刻以形成在P型阱上形成PMOS栅极，在N型阱上形成NMOS栅极；第五步骤，在PMOS栅极和NMOS栅极的侧边分别制作栅极侧墙一；第六步骤，进行轻掺杂注入在P型阱中形成PMOS轻掺杂源漏结构，并在N型阱中形成NMOS轻掺杂源漏结构；第七步骤，在器件表面淀积氮化硅薄膜；第八步骤，利用UV光对硅片进行照射；第九步骤，在栅极侧墙一侧边制作形成侧墙二；第十步骤，进行源漏注入形成，从而在P型阱中形成PMOS源漏极，在N型阱中形成NMOS源漏极。

主权项

一种减小负偏压温度不稳定性的CMOS器件制作方法，其特征在于包括：第一步骤，在衬底中进行阱注入形成P型阱以及N型阱；第二步骤，在衬底表面制作栅极氧化层；第三步骤，在栅极氧化层表面进行栅极层的淀积；第四步骤，对栅极层进行光刻以形成在P型阱上形成NMOS栅极，在N型阱上形成PMOS栅极；第五步骤，在PMOS栅极和NMOS栅极的侧边分别制作栅极侧墙一；第六步骤，进行轻掺杂注入在P型阱中形成NMOS轻掺杂源漏结构，并在N型阱中形成PMOS轻掺杂源漏结构；第七步骤，在器件表面淀积氮化硅薄膜；第八步骤，利用UV光对硅片进行照射，利用UV光对硅片进行照射的温度为450‑480℃，照射时间为100‑150S；第九步骤，在栅极侧墙一侧边制作形成侧墙二；第十步骤，进行源漏注入形成，从而在P型阱中形成NMOS源漏极，在N型阱中形成PMOS源漏极。