用于利用HVPE工艺异质外延沉积III族氮化物半导体材料的改进的模板层

摘要

在基材上沉积III族氮化物半导体材料的方法包括在成核HVPE工艺阶段中在基材表面上沉积III族氮化物半导体材料的层，以形成具有包括至少一些非晶III族氮化物半导体材料的微结构的成核层。所述成核层可进行退火以在基材表面上形成外延成核材料的晶岛。所述外延成核材料的岛可在聚结HVPE工艺阶段中生长和聚结以形成外延成核材料的成核模板层。所述成核模板层可至少基本上覆盖基材的表面。可在另外的HVPE工艺阶段中在所述外延成核材料的成核模板层上沉积另外的III族氮化物半导体材料。通过这种方法形成包括III族氮化物半导体材料的最终结构和中间结构。

主权项

一种利用金属三氯化物前体和金属四氯化物前体中的至少一个在基材上沉积III族氮化物半导体材料的方法，包括：在成核HVPE工艺阶段中利用金属三氯化物前体和金属四氯化物前体中的至少一个在基材表面上沉积III族氮化物半导体材料的层，以形成具有纳米结构的成核层，所述成核层包括至少一些纤锌矿微晶和一些非晶III族氮化物半导体材料；将所述成核层退火，以在所述基材表面上形成纤锌矿成核材料的晶岛；在聚结HVPE工艺阶段中生长和聚结所述纤锌矿成核材料的岛，以形成覆盖所述基材表面的纤锌矿成核材料的成核模板层；在另外的HVPE工艺阶段中在所述纤锌矿成核材料的成核模板层上沉积另外的III族半导体材料；以及选择和调整成核HVPE工艺阶段的参数以及所述成核层的退火的参数，以优先形成具有峰形而不是平台形的晶岛。