开口的形成方法

摘要

一种开口的形成方法，包括，提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成含碳介质层，且所述含碳介质层为低k材料或超低k材料；采用沉积的方法在所述含碳介质层上形成硬掩膜层，沉积时所述含碳介质层与硬掩膜层的接触处的碳被损耗；在所述硬掩膜层中形成开口图形，所述开口图形底部露出所述含碳介质层；采用含碳气体束离子轰击所述开口图形的侧壁和底部形成的夹角处，以对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充；对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充后，以所述形成开口图形的硬掩膜层为掩膜，对所述含碳介质层进行刻蚀形成开口。采用本发明的开口的形成的方法，提高后续形成的互连结构的电迁移性能、应力迁移性能。

主权项

一种开口的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成含碳介质层，且所述含碳介质层为低k材料或超低k材料；采用沉积的方法在所述含碳介质层上形成硬掩膜层，沉积时所述含碳介质层与硬掩膜层的接触处的碳被损耗；在所述硬掩膜层中形成开口图形，所述开口图形底部露出所述含碳介质层；采用含碳气体束离子轰击所述开口图形的侧壁和底部形成的夹角处，以对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充；对含碳介质层与硬掩膜层的接触处进行碳补充后，以所述形成开口图形的硬掩膜层为掩膜，对所述含碳介质层进行刻蚀形成开口；所述硬掩膜层为单层或叠层结构；在所述硬掩膜层为单层硬掩膜层时，所述单层硬掩膜层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或碳化硅；在所述叠层结构的硬掩膜层为双层硬掩膜时，所述双层硬掩膜层的底层硬掩膜层材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或碳化硅，顶层硬掩膜层为金属硬掩膜。