一种半导体氧化物改性的导电滤膜及其制备方法和应用

摘要

本发明属于膜技术和光电材料领域，具体涉及一种半导体氧化物改性的导电滤膜及其制备方法和应用。所述半导体氧化物改性的导电滤膜，由普通导电滤膜和半导体氧化物组成。其中，半导体氧化物包括TiO₂，ZnO或Fe₂O₃，普通导电滤膜的孔径为1nm-1μm。制备方法为：半导体氧化物在导电滤膜制备过程中引入，或先制备普通导电滤膜，再使用半导体氧化物对其进行改性。半导体氧化物改性的导电滤膜将膜分离技术与半导体光电催化技术有效联合，相对于传统的光催化或导电滤膜等水治理技术，能有效提高了膜表面空穴的含量，增强了滤膜的氧化净化能力。这种基于导电滤膜的光电催化技术的水处理系统能提高水环境中有机污染物的降解和致病菌的灭活，以及膜的自净能力，进而大大提高了污水的处理效率。

主权项

一种半导体氧化物改性的导电滤膜，其特征在于，由普通导电滤膜表面复合具有纳米结构的半导体氧化物得到。