发明名称 | 一种光栅及其制造方法、电子装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种光栅及其制造方法、电子装置,所述方法包括:提供基底,在基底上依次沉积下层氧化物层、第一氮化硅层和上层氧化物层;蚀刻上层氧化物层,形成多个等间距排布的光栅线阵列图案;沉积第二氮化硅层,覆盖所述光栅线阵列图案;执行化学机械研磨,直至露出所述光栅线阵列图案的顶部;蚀刻第二氮化硅层和第一氮化硅层,以在其中形成露出下层氧化物层的开口;沉积另一氧化物层,完全填充所述开口;执行另一化学机械研磨,直至另一氧化物层的表面平坦。根据本发明,通过控制覆盖第一氮化硅层的上层氧化物层的沉积厚度来确定所述光栅线阵列图案的高度,可以有效改善所述光栅线阵列图案的高度的均一性,从而提升所述光栅的性能。 | ||
申请公布号 | CN105511002A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
申请号 | CN201410490639.2 | 申请日期 | 2014.09.23 |
申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 倪梁;汪新学;伏广才 |
分类号 | G02B5/18(2006.01)I | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I |
代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
主权项 | 一种光栅的制造方法,包括:提供基底,在所述基底上依次沉积下层氧化物层、第一氮化硅层和上层氧化物层;蚀刻所述上层氧化物层,形成多个等间距排布的光栅线阵列图案;沉积第二氮化硅层,覆盖所述光栅线阵列图案;执行化学机械研磨,直至露出所述光栅线阵列图案的顶部;蚀刻所述第二氮化硅层和所述第一氮化硅层,以在其中形成露出所述下层氧化物层的开口;沉积另一氧化物层,完全填充所述开口;执行另一化学机械研磨,直至所述另一氧化物层的表面平坦。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 |