| 发明名称 | 一种双栅TFT阵列基板及其制造方法和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种双栅TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，其中，制造方法包括：通过一次构图工艺形成公共电极和顶栅。本发明提供的双栅TFT阵列基板及其制造方法，通过一次构图工艺形成公共电极和顶栅，与传统的先制作公共电极，再制作顶栅的工艺过程相比，减少了构图工艺的次数，简化了工艺流程。同时，本发明中通过还原方法得到的双栅TFT阵列基板中的顶栅与底栅具有相近的电阻，保证了整个阵列基板的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN105514120A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201610040520.4 | 申请日期 | 2016.01.21 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 牛菁;春晓改 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李相雨 |
| 主权项 | 一种双栅TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：通过一次构图工艺形成公共电极和顶栅。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||