| 发明名称 | 基于磁阻式随机存取存储器的编程电压的物理不可克隆函数 | ||
| 摘要 | 一个特征涉及一种实施物理不可克隆函数的方法。所述方法包含将磁阻式随机存取存储器MRAM单元的阵列初始化到第一逻辑状态，其中所述MRAM单元中的每一者具有大于第一电压且小于第二电压的随机转变电压。所述转变电压表示致使所述MRAM单元从所述第一逻辑状态转变到第二逻辑状态的电压电平。所述方法进一步包含将编程信号电压施加到所述阵列中的所述MRAM单元中的每一者以致使所述阵列中的所述MRAM单元的至少一部分随机地将状态从所述第一逻辑状态改变到所述第二逻辑状态，其中所述编程信号电压大于所述第一电压且小于所述第二电压。 | ||
| 申请公布号 | CN105518787A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201480049003.2 | 申请日期 | 2014.09.04 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 朱晓春;史蒂文·M·米伦多夫;郭旭;戴维·M·雅各布森;李康浩;升·H·康;马修·迈克尔·诺瓦克 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01)I;H04L9/08(2006.01)I;H04L9/32(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种实施物理不可克隆函数PUF的方法，所述方法包括：将磁阻式随机存取存储器MRAM单元的阵列初始化到第一逻辑状态，所述MRAM单元中的每一者具有大于第一电压V<sub>1</sub>且小于第二电压V<sub>2</sub>的随机转变电压V<sub>T</sub>，所述转变电压V<sub>T</sub>表示致使所述MRAM单元从所述第一逻辑状态转变到第二逻辑状态的电压电平；及将编程信号电压V<sub>PS</sub>施加到所述阵列中的所述MRAM单元中的每一者以致使所述阵列中的所述MRAM单元的至少一部分随机地将状态从所述第一逻辑状态改变到所述第二逻辑状态，所述编程信号电压V<sub>PS</sub>大于所述第一电压V<sub>1</sub>且小于所述第二电压V<sub>2</sub>。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||