| 发明名称 | 一种抗辐射LVDT传感器 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种抗辐射LVDT传感器，包括从外向内依次设置的外壳、线圈骨架和铁芯；所述线圈骨架上缠绕有线圈，所述外壳与线圈骨架之间设有内壳；所述内壳采用抗辐射材料，且该抗辐射材料为铅、铅合金或钨合金；所述线圈与内壳之间填充有填充层；所述填充层采用聚苯硫醚纤维材质。由以上技术方案可知，本实用新型所述的LVDT传感器，内壳采用铅、铅合金或钨合金等抗辐射材料，在线圈与内壳之间填充有采用聚苯硫醚纤维材质的填充层，使该LVDT传感器具有较高的抗辐射能力，能够在辐射环境下稳定运行。 | ||
| 申请公布号 | CN205175336U | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201520825719.9 | 申请日期 | 2015.10.25 |
| 申请人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明人 | 张裕悝;潘宏青;王耀雄;双丰 |
| 分类号 | G01B7/02(2006.01)I | 主分类号 | G01B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 合肥天明专利事务所 34115 | 代理人 | 梁美珠;奚华保 |
| 主权项 | 一种抗辐射LVDT传感器，包括从外向内依次设置的外壳、线圈骨架和铁芯；所述线圈骨架上缠绕有线圈；其特征在于：所述外壳与线圈骨架之间设有内壳；所述内壳采用抗辐射材料，且该抗辐射材料为铅、铅合金或钨合金；所述线圈与内壳之间填充有填充层；所述填充层采用聚苯硫醚纤维材质。 | ||
| 地址 | 230031 安徽省合肥市蜀山区蜀山湖路350号 | ||