利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法

摘要

本发明涉及一种利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中制造集成热敏电阻，利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来测量芯片接面温度。电阻种类可根据需要、性能和成本进行选择，以制造薄膜电阻为例，先在衬底上形成一层氧化层，然后淀积电阻材料，光刻腐蚀形成电阻图形和金属布线，不影响电阻的连接。然后再在衬底表明形成一层钝化层，保护电阻不受外界影响。通过光刻腐蚀开出焊盘窗口。测量前，先对热敏电阻做温度标定，在30～120℃区间作出温度-阻值特性曲线。测量时，先热敏电阻焊盘连接到测试仪器上测电阻；然后，将测试样品放入恒温箱内，待温度稳定后测量电阻值，从而根据温度-阻值特性曲线推算出接面温度值。

主权项

一种利用集成电阻测量埋置型封装芯片接面温度的方法，所述的接面温度是指埋置芯片和衬底接面间的温度，在芯片接面即衬底上的埋置槽中制造集成热敏电阻，利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来测量芯片接面温度，其特征在于热敏电阻选择薄膜电阻，具体步骤是：(a)在硅片上制备埋置槽通过湿法或深反应离子刻蚀方法在硅片(101)上形成等同于芯片厚度的埋置槽(102)；(b)淀积氧化层或钝化层在硅片(101)正面使用热氧化或CVD淀积一层氧化层或钝化层(200)，用于隔离硅片衬底；(c)沉积薄膜电阻材料在硅片(101)表面使用溅射或蒸发沉积一层热敏电阻薄膜(201)；(d)形成电阻图形阵列利用喷胶光刻显影腐蚀出电阻图形(103)阵列；(e)沉积金属层使用溅射或蒸发沉积一层金属布线层(202)；(f)形成布线图形喷胶光刻显影后腐蚀金属布线层形成金属布线图形(104)；(g)沉积导热绝缘层使用PVD或CVD沉积一层导热绝缘层(105)；(h)形成焊盘窗口并埋置芯片①利用喷胶光刻工艺在导热绝缘层上形成焊盘窗口(300)使金属布线图形(104)暴露；②将芯片(106)埋置入埋置槽(102)中；(i)测量前，热敏电阻做温度标定①在30～120℃区间，每隔一定温度测量一次电阻值；②作出温度‑阻值特性曲线；(j)测量时，使芯片上的发热结构发热，测定热敏电阻阻值①先将热敏电阻焊盘连接到测试仪器上测电阻，芯片上的发热结构连到电流或电压表上；②将测试样品放入恒温箱内，使埋置入埋置槽的芯片上的发热结构以一定的功率发热，待温度稳定后测量电阻值；(h)根据温度‑阻值特性曲线推算出接面温度值。