发明名称 半导体光刻用共聚物、抗蚀剂组合物以及基板的制造方法
摘要 一种光刻用共聚物,其特征在于,其浊度Th(80)为1.0以上、4.6NTU以下,并且浊度Tm(80)为1.0以上、3.8NTU以下,该浊度Th(80)是这样的浊度,将在丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中添加正庚烷时使浊度成为10NTU的正庚烷添加量设为(X)h,该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中,光刻用共聚物的含量相对于丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的总质量为20wt%,该浊度Th(80)是将该(X)h的80%的量的正庚烷添加到该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中时的、该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的浊度;该浊度Tm是这样的浊度,将在丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中添加甲醇时使浊度成为5.0NTU的甲醇添加量设为(X)m,该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中,该光刻用共聚物的含量相对于丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的总质量为20wt%,该浊度Tm是将该(X)m的80%的量的甲醇添加到该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中时的、该丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的浊度。
申请公布号 CN105518041A 申请公布日期 2016.04.20
申请号 CN201480048455.9 申请日期 2014.09.03
申请人 三菱丽阳株式会社 发明人 安田敦;中条美帆
分类号 C08F220/28(2006.01)I;C08F2/00(2006.01)I;G03F7/039(2006.01)I 主分类号 C08F220/28(2006.01)I
代理机构 上海市华诚律师事务所 31210 代理人 李晓
主权项 一种光刻用共聚物,其特征在于,其浊度Th(80)为1.0以上、4.6NTU以下,并且浊度Tm(80)为1.0以上、3.8NTU以下,所述浊度Th(80)是这样的浊度,将在丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中添加正庚烷时使浊度成为10NTU的正庚烷添加量设为(X)h,所述丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中,光刻用共聚物的含量相对于丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的总质量为20wt%,所述浊度Th(80)是将该(X)h的80%的量的正庚烷添加到所述丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中时的、所述丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的浊度;所述浊度Tm是这样的浊度,将在丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中添加甲醇时使浊度成为5.0NTU的甲醇添加量设为(X)m,所述丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中,所述光刻用共聚物的含量相对于丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的总质量为20wt%,所述浊度Tm是将该(X)m的80%的量的甲醇添加到所述丙二醇单甲醚乙酸酯溶液中时的、所述丙二醇单甲醚乙酸酯溶液的浊度。
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