| 发明名称 | 反应性溅射装置 | ||
| 摘要 | 反应性溅射装置具备阴极装置(18)，阴极装置(18)向化合物膜的形成区域(R1)放射溅射粒子。阴极装置(18)具备：扫描部(27)，其在相对区域(R2)扫描烧蚀区域；以及靶(23)，其形成有烧蚀区域，扫描方向上的长度短于相对区域(R2)。扫描部(27)从开始位置(St)朝向相对区域(R2)扫描烧蚀区域，在开始位置(St)上，扫描方向上的形成区域(R1)的2个端部中的溅射粒子先到达的第1端部(Re1)与靶(23)的第1端部(23e1)的距离(D1)在扫描方向上为150mm以上，靶(23)的第1端部(23e1)在扫描方向上离形成区域的第1端部(Re1)近。 | ||
| 申请公布号 | CN105518179A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201380079134.0 | 申请日期 | 2013.10.03 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 武井応树;矶部辰德;清田淳也;大野哲宏;佐藤重光 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人 | 胡艳 |
| 主权项 | 一种反应性溅射装置，具备阴极装置，所述阴极装置朝向应形成于成膜对象物的化合物膜的形成区域放射溅射粒子，与所述形成区域相对的空间是相对区域，所述阴极装置具备：扫描部，其在所述相对区域扫描烧蚀区域；以及靶，其形成有所述烧蚀区域，该靶在扫描方向上的长度短于所述相对区域，所述扫描部从开始位置朝向所述相对区域扫描所述烧蚀区域，在所述开始位置上，所述形成区域在所述扫描方向上的2个端部中的所述溅射粒子先到达的第1端部与所述靶的第1端部的距离在所述扫描方向上为150mm以上，所述靶的第1端部为在所述扫描方向上离所述形成区域的所述第1端部近的端部。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县茅崎市萩园2500番地 | ||