发明名称 |
低电阻率P型氮化镓材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种低电阻率P型氮化镓材料的制备方法,该制备方法包括:对衬底升温,在氢气环境下热处理,去除衬底表面的杂质;在衬底上生长低温成核层,为后续生长材料提供成核中心;在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层;在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层具有一定氢杂质浓度的P型氮化镓层;在氮气环境下,高温退火使P型氮化镓层中受主激活,得到低电阻率P型氮化镓材料。本发明,通过用氢杂质与施主缺陷(如氮空位)形成络合物,钝化施主缺陷的方法减轻p型氮化镓材料中的受主补偿作用,达到降低P型氮化镓材料电阻率的目的。 |
申请公布号 |
CN105513951A |
申请公布日期 |
2016.04.20 |
申请号 |
CN201510996216.2 |
申请日期 |
2015.12.25 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
杨静;赵德刚;陈平;朱建军 |
分类号 |
H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
任岩 |
主权项 |
一种低电阻率P型氮化镓材料的制备方法,其特征在于,该方法包括:步骤1:对衬底升温,在氢气环境下热处理,去除衬底表面的杂质;步骤2:在衬底上生长低温成核层,为后续生长材料提供成核中心;步骤3:在低温成核层上生长一层非故意掺杂模板层;步骤4:在非故意掺杂模板层上低温外延生长一层具有氢杂质浓度的P型氮化镓层,使氢杂质可以与施主缺陷形成络合物,钝化施主;步骤5:在氮气环境下,将生长得到的外延片高温退火使P型氮化镓层中受主激活,而不能使氢与缺陷形成的络合物分解,从而得到低电阻率P型氮化镓材料。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |