一种接触孔界面处理方法

摘要

本发明提供一种接触孔界面处理方法，包括：在数据线沉积于接触孔之前，对通过接触孔露出的源极界面、漏极界面和栅极界面进行处理，去除有机残余物；进行氢气处理，去除源极界面、漏极界面和栅极界面的原生氧化物；以及进行氮气处理，在源极界面、漏极界面和栅极界面上形成保护层。使用本发明的接触孔界面处理方法对接触孔界面进行处理，避免了由于湿蚀刻而造成的不均，同时起到清洗、还原和保护的作用，可有效提高界面的均匀性，降低数据线与多晶硅之间的接触阻抗并防止数据线与金属栅极接触处腐蚀，此外，本发明的接触孔界面处理方法未使用氢氟酸，操作更安全、维护更便捷。

主权项

一种接触孔界面处理方法，包括：在数据线沉积于接触孔之前，对通过接触孔露出的源极界面、漏极界面和栅极界面进行处理，去除有机残余物；进行氢气处理，去除所述源极界面、所述漏极界面和所述栅极界面上的原生氧化物；以及进行氮气处理，在所述源极界面、所述漏极界面和所述栅极界面上形成保护层。