| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述装置包括：位于衬底上的鳍片结构，所述鳍片结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区；横跨所述沟道区的栅极结构；其中，所述源区/漏区包括第一半导体材料区和在第一半导体材料区的上表面和侧面外延生长形成的第二半导体材料区，所述第二半导体材料区包围所述第一半导体材料区。本公开实施例中外延生长后的相邻的两个鳍片结构中的源区/漏区不合并。 | ||
| 申请公布号 | CN105514161A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201410500106.8 | 申请日期 | 2014.09.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 谢欣云 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 孙宝海 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，包括：位于衬底上的鳍片结构，所述鳍片结构包括源区、漏区、以及位于源区和漏区之间的沟道区；横跨所述沟道区的栅极结构；其中，所述源区/漏区包括第一半导体材料区和在第一半导体材料区的上表面和侧面外延生长形成的第二半导体材料区，所述第二半导体材料区包围所述第一半导体材料区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||