具有底部源极的功率MOSFET器件及其制作方法

摘要

一种具有底部源极的功率MOSFET器件及其制作方法，在晶片正面形成有相绝缘的栅极和源极。该源极上电镀有源极凸块；由塑封体包封栅极，以及源极和源极凸块与栅极之间的第一绝缘层；源极金属层形成在源极凸块暴露的表面上，构成源极与外部器件电性连接的区域；晶片背面研磨使厚度减薄。晶片背面形成有漏极金属层作为漏极。一孔槽贯穿晶片背面与栅极连通，使栅极的部分表面从孔槽中暴露形成该栅极与外部器件电性连接区域。晶片的正面朝下，则使源极位于器件底部，而漏极和从孔槽中暴露的栅极就位于器件顶部。本发明中所述漏极及栅极之间，由孔槽内的第二绝缘层以及所述栅极背面的起始层来进行绝缘保护，能有效防止击穿。

主权项

一种具有底部源极的功率MOSFET器件，其特征在于，所述功率MOSFET器件中，包含漏极、栅极(42)和源极(41)，其相互绝缘隔离，并能够分别与外部器件电性连接；其中，所述源极(41)形成在一晶片的正面；晶片的该正面朝下，使所述源极(41)在所述功率MOSFET器件的底部暴露设置；所述漏极形成在所述晶片的背面；晶片的该背面朝上，使所述漏极在所述功率MOSFET器件的顶部暴露设置；所述栅极(42)形成在所述晶片的正面；所述晶片的背面开设有一孔槽(80)，其连通至所述栅极(42)，所述孔槽(80)侧壁覆盖有第二绝缘层(52)；所述孔槽(80)的底面没有被所述第二绝缘层(52)覆盖，所述栅极(42)的至少一部分从该孔槽(80)中暴露出来，从而使该栅极(42)在该功率MOSFET器件的顶部暴露出来；其中，所述晶片包含衬底(30)，并在该衬底(30)正面形成有绝缘的起始层(31)；所述源极(41)与所述栅极(42)，分别形成在所述晶片的起始层(31)上。