| 发明名称 | 用于具有线端延长的晶体管的结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的隔离部件；形成在所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区在第一方向延伸并且通过所述隔离部件彼此分隔；以及设置在隔离部件上的伪栅极，其中所述伪栅极在第一方向从一侧延伸至所述第一有源区并且从另一侧延伸至所述第二有源区。本发明还公开了用于具有线端延长的晶体管的结构和方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103219340B | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201210192137.2 | 申请日期 | 2012.06.11 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余绍铭;张长昀;张志豪;陈欣志;张开泰;谢铭峰;吕奎亮;林以唐 |
| 分类号 | H01L27/085(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/085(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：半导体衬底；形成在半导体衬底中的隔离部件；形成在所述半导体衬底中的第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区在第一方向延伸并且通过隔离部件彼此分隔；设置在所述隔离部件上的伪栅极，所述伪栅极包括栅极间隔件，其中所述伪栅极在所述第一方向从一侧延伸至所述第一有源区并且从另一侧延伸至所述第二有源区；以及形成在所述第一有源区上的第一外延部件，所述第一外延部件由所述半导体衬底的一部分与所述伪栅极分隔。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||