发明名称 一种碳化硅晶须增强氮化硅陶瓷复合材料及其制备方法
摘要 一种碳化硅晶须增强的氮化硅陶瓷基复合材料及其制备方法。该碳化硅晶须增强的氮化硅陶瓷基复合材料基体为氮化硅陶瓷,增强材料为碳化硅晶须。制备方法:碳化硅晶须与硅粉混合造粒后加入烧结助剂,单体交联剂,分散剂,纯水混合形成预混液。预混液中添加引发剂和催化剂,以氧化铝作为球磨介质,在尼龙罐中球磨一段时间,经抽滤、烘干,烘干后的粉料采用热等静压烧结成陶瓷,并对陶瓷外型加工,最后在进行氮化处理。这种经碳化硅晶须增韧补强的氮化硅陶瓷,在高温强度,耐磨性,耐磨蚀性得到了提高,使得氮化硅陶瓷能在更加广泛的领域应用更加完善。
申请公布号 CN103724034B 申请公布日期 2016.04.20
申请号 CN201310309107.X 申请日期 2013.07.23
申请人 太仓派欧技术咨询服务有限公司 发明人 陈照峰;余盛杰
分类号 C04B35/80(2006.01)I;C04B35/81(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C04B35/584(2006.01)I 主分类号 C04B35/80(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种碳化硅晶须增强的氮化硅陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下顺序的制备步骤:①将碳化硅晶须与硅粉按照一定比例混合造粒;②将烧结助剂、单体交联剂、分散剂、引发剂、催化剂加入到上述混合粉料中,以纯水作为介质,用氧化铝作为球磨介质,按照一定比例加入纯水和氧化铝到尼龙罐中,球磨24~36小时;③经抽滤、烘干,在110~150℃烘箱中保温5~10小时;④烘干后的粉料通过200~300目筛子过筛,造粒;⑤按照实际需要取相应重量的粉料,放置于金属或玻璃包套中,抽真空后,放入烧结炉中准备烧结;⑥采用热等静压烧结,在热等静压炉中1650~1750℃,5~10MPa,烧结1.5~3小时,降温速度为每小时600~800℃;⑦对陶瓷外型进行加工;⑧在氮化炉中进行氮化处理,氮化工艺为1100~1300℃初步氮化,1350‑1450℃二次氮化获得,与纯氮化硅陶瓷粉体烧结相比具有烧结温度低的优点。
地址 215400 江苏省苏州市太仓市科教新城健雄路20号路南2栋