一种高阻硅基底高频微带天线

摘要

该发明属于天线技术领域中采用高阻硅作基底的微带天线，包括高阻硅基底及设于其底部的正四棱锥台形凹槽，设于基底上表面的带简并单元的辐射贴片及其馈线，接地片。该发明由于将高阻硅基底背面的空气槽设计成正四棱锥台形凹槽，因而可采用MEMS湿法刻蚀，自动将四棱锥台形凹槽的锥面刻蚀成与该材料晶向界面角相同角度的锥形面，且不会产生废弃物掩蔽层，其刻蚀的速率及凹槽顶面的平整度分别较是背景技术提高20倍及10倍左右。因而具有器件结构设计先进、生产工艺简便，生产效率高、成品率高，微波损耗低、辐射效率高，器件性能优异，易于集成组成阵列式微带天线，而且生产成本低并可满足规模化生产的要求等特点。

主权项

一种高阻硅基底高频微带天线，包括电阻率为20000Ω·cm的高阻硅基底及设于基底底部的凹槽，设于基底上表面的带简并单元的辐射贴片及其馈线，接地片，其特征在于设于基底底部的凹槽为正四棱锥台形凹槽；带简并单元的辐射贴片及其馈线紧贴于高阻硅基底的上表面，其中辐射贴片正对正四棱锥台形凹槽、接地片与高阻硅基底的底面紧固成一体，辐射贴片的中心、正四棱锥台形凹槽的中心及接地片方孔的中心位于同一轴线上；上述正四棱锥台形凹槽各侧面锥面角的度数根据所采用高阻硅基底材料的晶向决定并在湿法刻蚀过程中自然形成。