| 发明名称 | 半导体结构的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成金属氮化物层；在所述金属氮化物层上形成底部抗反射涂层；在所述底部抗反射涂层上形成图形化的光刻胶层；其特征在于，还包括：在形成图形化的光刻胶层之前，对所述底部抗反射涂层进行热处理。本发明的方法在应用金属氮化物的局部互连工艺中，保证形成的光刻图形的尺寸的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN105514030A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201610041504.7 | 申请日期 | 2016.01.21 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 徐涛;陈宏;王卉;曹子贵;陆向宇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 吴敏 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成金属氮化物层；在所述金属氮化物层上形成底部抗反射涂层；在所述底部抗反射涂层上形成图形化的光刻胶层；其特征在于，还包括：在形成图形化的光刻胶层之前，对所述底部抗反射涂层进行热处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||