| 发明名称 | 晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有伪栅；形成覆盖于衬底表面、伪栅侧壁表面的层间介质层，且层间介质层顶部与伪栅顶部表面；在所述层间介质层表面形成掩膜层，且所述掩膜层暴露出伪栅顶部表面；以所述掩膜层为掩膜刻蚀去除伪栅，在层间介质层内形成凹槽，且凹槽底部侧壁表面形成有根部缺陷；采用干法刻蚀工艺刻蚀去除所述根部缺陷。本发明在去除伪栅后，采用干法刻蚀工艺刻蚀去除根部缺陷，从而提高后续在凹槽内形成的栅极的形貌，优化形成的晶体管的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105513964A | 申请公布日期 | 2016.04.20 |
| 申请号 | CN201410491230.2 | 申请日期 | 2014.09.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 张海洋;张璇 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有伪栅；形成覆盖于衬底表面以及伪栅侧壁表面的层间介质层，所述层间介质层顶部与伪栅顶部齐平；在所述层间介质层表面形成掩膜层，且所述掩膜层暴露出伪栅顶部表面；以所述掩膜层为掩膜刻蚀去除伪栅，在所述层间介质层内形成凹槽，且凹槽底部侧壁表面形成有根部缺陷；采用干法刻蚀工艺刻蚀去除所述根部缺陷。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||