CMOS图像传感器的制造方法

摘要

本申请提供了一种CMOS图像传感器的制造方法。该制造方法包括：步骤S1，在半导体衬底的上表面上设置氧化层；步骤S2，在氧化层的远离半导体衬底的表面上设置栅极结构和侧墙；步骤S3，对氧化层和半导体衬底进行离子注入，在半导体衬底中形成光电二极管的插梢植入层；步骤S4，对氧化层进行刻蚀，形成栅氧层；步骤S5，在半导体衬底的上表面的不需要设置金属硅化物的位置设置金属硅化物阻挡层；步骤S6，形成CMOS图像传感器的金属硅化物层。在完成光电二极管的插梢植入层的制作之后再进行氧化层的刻蚀，进而在氧化层的保护下避免了形成插梢植入层的离子注入对有源区表面造成的损伤，因此有效低减轻了热像素现象。

主权项

一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：步骤S1，在半导体衬底的上表面上设置氧化层；步骤S2，在所述氧化层的远离所述半导体衬底的表面上设置栅极结构和侧墙；步骤S3，对所述氧化层和所述半导体衬底进行离子注入，在所述半导体衬底中形成光电二极管的插梢植入层；步骤S4，对所述氧化层进行刻蚀，形成栅氧层；步骤S5，在所述半导体衬底的上表面的不需要设置金属硅化物的位置设置金属硅化物阻挡层；步骤S6，形成所述CMOS图像传感器的金属硅化物层。