精确校准及自平衡的超级结器件的制备方法

摘要

本发明公开了一种用于在半导体衬底上制备半导体功率器件的方法，半导体衬底承载着由外延层构成的漂流区。该方法包含：第一步，生长一个第一外延层，然后在外延层上方制备一个第一硬掩膜层；第二步，利用第一植入掩膜，打开多个植入窗口，并且利用第二植入掩膜，闭锁一部分植入窗口，以植入交替导电类型的多个掺杂区，在第一外延层中相互邻近；第三步，重复第一步和第二步，利用相同的第一和第二植入掩膜，制备多个外延层，每个外延层都用交替导电类型的掺杂区植入。然后，在外延层顶部进行器件制备工艺，在交替导电类型的掺杂区上方，通过扩散过程，合并交替导电类型的掺杂区，作为外延层中的掺杂立柱。

主权项

一种用于在半导体衬底上制备半导体功率器件的方法，半导体衬底承载着由外延层构成的漂流区，其特征在于，该方法包含：步骤1，在第一外延层上方制备一个第一硬掩膜层，然后利用第一植入掩膜打开多个第一组植入窗口，然后用第一导电类型的掺杂离子进行离子植入，以便在第一外延层中制成第一导电类型的多个掺杂区；步骤2，制备一个第二硬掩膜层，填充在第一组植入窗口中，然后平整化第二硬掩膜层，除去第一硬掩膜层，以制备第二组植入窗口，并通过第二导电类型的掺杂离子进行离子植入，在第一外延层中制备第二导电类型的多个掺杂区，第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区相互交替排布；并且步骤3，重复步骤1和步骤2，利用相同的第一和第二植入掩膜，制备多个外延层，植入每个外延层，在每个外延层中制备相互靠近的第一和第二导电类型相互交替的掺杂区。