一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的绝缘层、位于所述绝缘层上的位线、位于所述位线两侧的侧壁层以及位于所述侧壁层上的字线，其中，所述侧壁层高于所述位线，所述位线与所述字线在空间上交叉设置，所述位线的材料为TiAl，所述字线的材料为TiN。本发明的半导体器件由于分别采用TiAl和TiN作为位线和字线，因而位线和字线的均一性更容易控制，可以在一定程度上提高半导体器件的性能。本发明的半导体器件的制造方法，用于制造上述半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置包括上述的半导体器件，同样具有上述优点。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的绝缘层、位于所述绝缘层上的位线、位于所述位线两侧的侧壁层以及位于所述侧壁层上的字线，其中，所述侧壁层高于所述位线，所述位线与所述字线在空间上交叉设置，所述位线的材料为TiAl，所述字线的材料为TiN。