具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法

摘要

本发明公开了一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管及制备方法，以具有p型AlGaN材料以及p型GaN材料的多层材料为基体材料。利用电子束蒸发依次生长Ni、Au、Ni和Au形成多层金属，作为器件的源端电极和漏端电极。为了精确控制栅长为2μm的区域，利用ICP刻蚀钝化层，然后用电子束蒸发生长的单层金属Au作为器件的栅电极。本发明的优点在于：利用p型GaN与p型AlGaN形成异质结处高浓度的二维空穴气，提高p型器件的电学性能；所用的外延材料以及工艺与制备日盲紫外器件兼容，为制备有源紫外器件打下了技术基础。

主权项

一种具有异质结结构的GaN基p型场效应管，其特征在于：所述场效应管的结构为:在具有异质结结构的多层外延材料上通过电子束蒸发制备源端电极(1)、漏端电极(4)和栅电极(3)，从而得到利用空穴导电的场效应管器件；场效应管衬底为Al₂O₃衬底(8)，多层外延材料为在AlGaN材料(7)上依次外延生长的p型AlGaN(6)和p型GaN(5)，其中：p型GaN层的厚度为10nm～30nm，载流子浓度为10¹⁷～10¹⁸/cm³；p型AlGaN层的厚度为0.1um～0.3μm，载流子浓度为1×10¹⁷～5×10¹⁷/cm³。